半導体/電子部品の転職求人一覧

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非公開求人とは?

競合に知られたくない、新規プロジェクトや極秘プロジェクトの人員募集など、WEBサイト上では募集を行うことができない求人です。
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仕事内容 ◆同社NAND型フラッシュメモリ次世代製品の製品開発技術・量産技術業務をお任せします。
【業務詳細】下記いずれかから担当業務はご経験、ご志向を踏まえ、面接を通じて決定します。
 ・前工程における新製品の量産立上げ、及び、歩留改善・品質向上、信頼性改善に関する技術検討・評価業務。
 ・前工程で製造されたWaferを、SSD、SDカード、eMMC(スマートフォン向けメモリモジュール)などの
  応用製品に展開する際の量産技術確立、立上業務。
 ・新製品開発の戦略・計画立案
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募集条件 【学歴】 ◆高専・大学・大学院卒 【必要な経験】 ◆下記いずれかの経験※経験分野・半導体知識不問。  ・新規製品の量産立上経験  ・製品開発プロジェクトなどでリーダー経験  ・個別技術/要素技術を統合し、製造工程を取りまとめた経験 ※上記に文字通り該当しなくとも、近い経験と意欲を備えた方、  ご自身の特性が向いていると思われる方は歓迎いたします。 【想定年収】  30歳:600万円(月間40時間相当の残業手当含む)  35歳:800万円(月間40時間相当の残業手当含む)  40歳:1050万円(管理職待遇の場合。年俸制)  ※住宅補助、次世代育成手当別途
勤務地 三重県 神奈川県 想定年収 求人紹介時にご案内します
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仕事内容 ◆同社フラッシュメモリや次世代不揮発性メモリを用いたコンピュータシステム、
 及びSSDアーキテクチャの研究開発をお任せします。
【業務一例】
 ・データセンタ向けSSDアーキテクチャ、及びストレージシステムの研究開発
 ・深層学習のストレージシステムへの応用
 ・次世代不揮発メモリを適用したコンピュータシステムの研究開発
 ・SSDの高信頼性技術、大容量高速化技術の研究開発
 ・ソフトウェア開発プロセス・開発管理技術の研究と実践
 ※担当業務・製品はご経験を踏
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募集条件 【学歴】 ◆高専・大学・大学院卒 【必要な経験】 ◆以下いずれかの経験  ・コンピュータアーキテクチャに対する知識・経験  ・ストレージシステム、データセンターやクラウドデータ基盤に関するHW開発、   SW開発何れかの経験  ・情報工学や計算機科学(コンピュータサイエンス)分野での研究経験 ※業界経験不問。メーカー・ITベンダーのみならず、研究機関や  大学にて研究に取り組む方も歓迎です 【想定年収】  30歳:600万円(月間40時間相当の残業手当含む)  35歳:800万円(月間40時間相当の残業手当含む)  40歳:1050万円(管理職待遇の場合。年俸制)  ※住宅補助、次世代育成手当別途
勤務地 神奈川県 神奈川県 想定年収 求人紹介時にご案内します
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仕事内容 ◆同社フラッシュメモリや新規メモリの先端システム技術研究開発業務に従事いただきます。
 データアクセスの更なる高速化が要求される中、これまでに無い技術を世界に先駆けて開発します。
 論文発表を行うと共に、事業化にも直接繋げて頂きます。
【業務一例】
 ・メモリコントローラ内超高速インターフェース回路の研究開発
 ・不揮発性メモリを用いたシステム、および不揮発性メモリの周辺回路の研究開発
 ・ディープラーニング向けハードウェアの研究開発
 ・大容量・高効率・高密度ス
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募集条件 【学歴】 ◆高専・大学・大学院卒 【必要な経験】 ◆先端技術の研究を志向しており、以下何れかに該当する方  ・LSI設計開発経験(デジタル・アナログ共に可)  ・物理、または電気系シミュレーションや熱・機械系シミュレーション経験  ・ディープラーニング、機械学習技術に用いるHW/システムの開発経験 【想定年収】  30歳:600万円(月間40時間相当の残業手当含む)  35歳:800万円(月間40時間相当の残業手当含む)  40歳:1050万円(管理職待遇の場合。年俸制)  ※住宅補助、次世代育成手当別途
勤務地 神奈川県 神奈川県 想定年収 求人紹介時にご案内します
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仕事内容 ◆まだ実用化されていない新規の材料およびデバイスの研究開発を担当いただきます。

【業務詳細】
 理論的・実験的な検証を通じ、製品化への道筋を探る業務。
 論文を読んだり国際学会に参加して、最先端の技術情報を入手。
 社外研究機関とも連携しながらテーマを探索し、自ら手を動かして実験・計算を繰り返しつつ研究を進めて頂きます。
 論文や特許の執筆機会も多々あります。

 先端材料・デバイスを、先端の分析機器で評価し、まだ誰も解明していない材料物性やデバイスの動作原理
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募集条件 【学歴】 ◆高専・大学・大学院卒 【必要な経験】 ◆理学・工学系分野の先端領域において、材料やデバイスの研究経験をお持ちの方。 ※半導体、電子デバイスの知見は不問。電気・電子や材料分野のみならず、  物理・機械・生物など幅広い分野にて先端研究経験をお持ちの方を歓迎。 ※事業会社での経験をお持ちでない「ポスドク」の方も多数入社。活躍しています。 【想定年収】  30歳:600万円(月間40時間相当の残業手当含む)  35歳:800万円(月間40時間相当の残業手当含む)  40歳:1050万円(管理職待遇の場合。年俸制)  ※住宅補助、次世代育成手当別途
勤務地 三重県 神奈川県 想定年収 求人紹介時にご案内します
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仕事内容 ◆まだ実用化されていない新規の材料およびデバイスの研究開発業務をお任せします。
【業務詳細】
 理論的・実験的な検証を通じ、製品化への道筋を探る業務です。
 論文を読んだり国際学会に参加して、最先端の技術情報を入手することや、社外研究機関とも連携しながらテーマを探索し、
 自ら手を動かして実験・計算を繰り返しつつ研究を進めて頂きます。論文や特許の執筆機会も多々あります。
 また、先端材料・デバイスを、先端の分析機器で評価し、まだ誰も解明していない材料物性やデバイスの動
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募集条件 【学歴】 ◆高専・大学・大学院卒 【必要な経験】 ◆理学・工学系分野の先端領域において、材料やデバイスの研究経験をお持ちの方。 ※半導体、電子デバイスの知見は不問。  電気・電子や材料分野のみならず、物理・機械・生物など幅広い分野にて  先端研究経験をお持ちの方を歓迎。 ※事業会社での経験をお持ちでない「ポスドク」の方も多数入社しています。 【想定年収】  30歳:600万円(月間40時間相当の残業手当含む)  35歳:800万円(月間40時間相当の残業手当含む)  40歳:1050万円(管理職待遇の場合。年俸制)  ※住宅補助、次世代育成手当別途
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仕事内容 ◆同社NAND型フラッシュメモリや、新規メモリの更なる高集積化実現のためのデバイス技術開発業務をお任せします。
【業務詳細】
 NAND型フラッシュメモリ(3D製品を含む)、新規メモリ、またはメモリ周辺回路用デバイスについて
 下記いずれかを担当頂きます。 ※担当業務はご経験を踏まえ、面接を通じて決定。
 ・セル設計・デバイス設計
 ・ロット試作
 ・電気特性、信頼性の評価
【採用背景】
 同社が手がけるNAND型フラッシュメモリは、世界最先端の3Dプロセス技術
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募集条件 【学歴】 ◆高専・大学・大学院卒 【必要な経験】 ◆以下いずれかの経験/知見  ・半導体デバイス開発経験をお持ちの方  ・MOSFETなどデバイス構造・動作に対しての知見  ・半導体、電子デバイスなどのデバイス技術開発、製品技術、   歩留り改善、量産立上げ何れかの実務経験 ※ロジックLSI、ディスクリートなど、異なる製品の経験者も歓迎 ※御経験の一致度を鑑み、別の職種での選考を打診させて頂くケースも  ございます。その際は面接前にご連絡させて頂きます。 【想定年収】  30歳:600万円(月間40時間相当の残業手当含む)  35歳:800万円(月間40時間相当の残業手当含む)  40歳:1050万円(管理職待遇の場合。年俸制)  ※住宅補助、次世代育成手当別途
勤務地 三重県 神奈川県 想定年収 求人紹介時にご案内します
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仕事内容 ◆当社NAND型フラッシュメモリの更なる微細化実現のための技術開発業務をお任せします。

【業務詳細】
 下記いずれかを担当頂きます。 ※担当業務はご経験を踏まえ、面接を通じて決定。
 ・各ユニットプロセス技術開発:洗浄、成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン注入、平坦化、電極形成など
 ・プロセスインテグレーション技術

【採用背景】
 同社が手がけるNAND型フラッシュメモリは、世界最先端の3Dプロセス技術を用いており、
 スマートフォンの普及加速・
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募集条件 【学歴】 ◆高専・大学・大学院卒 【必要な経験】 ◆半導体、電子デバイス等の製品において下記経験をお持ちの方  ・プロセス技術開発  ・生産技術  ・歩留り改善  ・量産立ち上げ ※製造装置・検査装置メーカー、材料メーカーの方も歓迎 ※ディスプレイパネルやMEMSなど、異なる製品の経験者も多数活躍 【想定年収】  30歳:600万円(月間40時間相当の残業手当含む)  35歳:800万円(月間40時間相当の残業手当含む)  40歳:1050万円(管理職待遇の場合。年俸制)  ※住宅補助、次世代育成手当別途
勤務地 三重県 神奈川県 想定年収 求人紹介時にご案内します
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仕事内容 ■新技術であるクレイ型リチウムイオン蓄電池の開発を行っています。このクレイ型リチウムイオン蓄電池の電池セルの開発業務を行います。
 正極、負極、電解液及びこれらを組み合わせた電池の開発、設計が中心です。各材料の評価、改善及び電池での性能評価、信頼性評価を行います。
 材料選定から実験/評価計画の策定、実施、結果の考察とフィードバックを行い、新しい技術を開発していきます。
【募集背景】環境エネルギー分野の重要デバイスである蓄電池の事業展開を推進しています。本年から量産を開始
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募集条件 ■必須条件: ・リチウムイオン蓄電池の電極材料、電解液等についての専門知識 ・リチウムイオン蓄電池の研究開発経験 <学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上 ■年収例: ・630万円(技術系総合職30歳/月給29万円+賞与+各種手当) ・720万円(技術系総合職35歳/月給33万円+賞与+各種手当) ※予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。  月給は固定手当を含めた表記です。
勤務地 大阪府 滋賀県 想定年収 420万円 〜 900万円
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仕事内容 ■業務概要:
積層商品の回路形成、積層工程用設備の制御設計を行います。
■仕事の面白さ・魅力:
ムラタ独自のモノづくりを支える最先端設備の開発・設計に携わり、自身の考えや技術を提案・実現することができます。
■企業の魅力・強み:
創業当初から世界を舞台にノウハウを蓄積し、現在世界20か国以上に展開。グローバルに活躍することが可能です。
海外売上高比率は9割を超え、積層セラミックコンデンサ・SAWフィルタ・EMIフィルタ・ショックセンサなど、世界シェアトップクラスの

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募集条件 ■必須条件: ・市販PLCを用いた制御システム設計の実務経験がある方。 ・設備の立上げ経験がある方。
勤務地 滋賀県 想定年収 求人紹介時にご案内します
職種カテゴリ
業種カテゴリ
仕事内容 ■MEMSセンサの後工程プロセス開発、製造ラインでの特性改善、工程改善など。
■製品:MEMS加速度センサ、ジャイロセンサ
■仕事の面白さ・魅力:
・車載用センサのトップサプライヤーとして、車の安全性向上や自動運転の実現などに貢献出来る。

■企業の魅力:
・ムラタは国際企業として、創業当初から世界を舞台にノウハウを蓄積しており、現在ではムラタのグローバルネットワークは世界20か国以上に
 広がっています。世界中のエレクトロニクス社会の期待に的確かつスピーディーに
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募集条件 ・半導体、センサについての基本的知識がある。 ・ICについての基本的知識がある。
勤務地 石川県 海外 想定年収 求人紹介時にご案内します
職種カテゴリ
業種カテゴリ
仕事内容 ■製品:磁性積層膜を用いた磁気センサ
■概要磁性積層膜を用いた磁気センサの故障解析、それに基づいた磁性膜成膜・加工等のプロセスへのフィードバック
■詳細
・磁気センサの信頼性試験、その故障原因の検討、解析
・故障解析からどのプロセスに原因があるかを検討し、プロセス条件へフィードバック
・国内外の各種ベンダーと連携した不良率改善
★連携地域…国内工場、アジア、アメリカ、ヨーロッパなどのベンダー
★使用ツール…磁気センサ評価系(磁気コイル、DMM、スペクトラムアナライ
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募集条件 ・磁気デバイスまたは磁気材料の開発、評価経験 ・TOEIC600点程度以上(海外ベンダーに出張し一人でやり取りができるレベル) ■モットー: 「新しい電子機器は新しい電子部品から、新しい電子部品は新しい材料から」をモットー としています。製品を世に送り出すまでには製品の研究開発のみならず、材料開発、 プロセス、回路設計、生産、分析・評価等あらゆる要素技術が必要になります。 これらのノウハウを自社内に蓄積することで、更に新しく多彩な電子部品の世界を 切り拓いてきました。この独自の一貫生産体制の下では、各分野のエンジニアが組織の 壁を越えて状況に応じたチームを組み、1つのゴールを目指します。スピーディーで 柔軟性に富んだR&D体制が、総売上高の約40%が新製品という、 時代の最先端を行くムラタのものづくりを支えています
勤務地 石川県 想定年収 求人紹介時にご案内します
WEBサイト上では探すことができない
非公開求人をご紹介いたします。
非公開求人とは?

オープンに募集することで、応募が殺到してしまうのを避けたり、競合に知られたくないような、新規プロジェクトや極秘プロジェクトの人員募集など、WEBサイト上では募集を行うことができない求人です。

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